無錫冠亞恒溫制冷技術有限公司的可靠性測試Chiller(高低溫循環裝置/半導體溫控設備)憑借寬溫域、高精度、快速響應和全密閉系統等特性,廣泛適配多種對溫度控制要求嚴苛的特殊工藝場景。
一、半導體與微電子制造工藝
1. 晶圓前道制程
光刻(Lithography)
控制光刻膠涂布平臺溫度(±0.1℃),防止粘度漂移,提升圖案分辨率。
曝光后快速冷卻晶圓,制熱應力形變。
干法刻蝕(Dry Etch)
準確冷卻靜電吸盤(ESC)至-20℃~80℃,穩定等離子體環境,提高刻蝕均勻性。
化學氣相沉積(CVD)/ 原子層沉積(ALD)
控制反應腔壁與氣體輸送管路溫度,避免副反應或顆粒生成。
快速熱處理(RTP)
配合高溫燈源,提供快速降溫路徑,用于退火后驟冷。
化學機械拋光(CMP)
恒溫拋光液(通常23±0.5℃),保障表面平整度。

2. 優良封裝與測試
晶圓級封裝(WLP)、3D IC堆疊
控制臨時鍵合/解鍵合工藝中的熱壓溫度(如150~250℃)。
高溫老化測試(HTOL)、溫循測試(TCT)
支持-65℃~150℃快速溫變,模擬車規/航天芯片工況。
二、高分子與精細化工合成
1. 特種聚合反應
聚酰亞胺(PI)、環氧樹脂、聚氨酯等縮聚反應常需150~300℃恒溫,反應結束后需急速冷卻終止鏈增長。
冠亞可靠性測試Chiller可實現“升–恒–降"全流程閉環控制,避免爆聚或焦化。
2. 連續流微反應器(Microreactor)
強放熱/吸熱反應中,通過外循環Chiller準確控壁溫(±1℃),保障反應選擇性與收率。
支持24/7連續運行,適用于醫藥中間體、精細化學品生產。
三、新能源材料制備
1. 鋰電材料工藝
正前驅體共沉淀反應需50~60℃恒溫;
固態電解質(如LLZO)高溫燒結前的預熱與冷卻控制。
2. 燃料電池催化劑熱處理
在惰性氣氛下進行200~300℃程序升溫,Chiller配合保護氣體系統防止氧化。
優勢:全密閉油路系統,杜絕高溫下導熱油氧化,保障材料純度。
四、生物醫藥與制藥工程
1. 高沸點溶劑脫除與熔融結晶
某些API(活性藥物成分)需在180~250℃下脫除DMF、NMP等高沸點溶劑;
結晶終點快速降溫以控制晶型(如Form I vs Form II)與粒徑分布。
2. 凍干(Lyophilization)預冷階段
提供-40℃以下低溫載冷液,加速樣品凍結,提升凍干效率。
五、科研與高校實驗室
低溫物理實驗(如超導、量子器件測試)
激光器溫控(光纖激光、半導體激光器冷卻)
材料熱物性測試(DSC、DMA輔助控溫)
特點:噪音低、體積小、支持LabVIEW/Python遠程控制,適合教學與研發。
不適用場景提醒
可靠性測試Chiller不適合以下情況:
工藝溫度 > 350℃(超出導熱油安全上限);
需要明火或開放式電加熱的工藝;
對介質潔凈度要求高且嚴禁任何油類接觸(此時可選純水冷+電加熱組合方案)。
可靠性測試Chiller“一套系統替代傳統‘電加熱 + 冷水機’兩套設備",實現高溫加熱、準確控溫、快速冷卻三位一體,特別適合高技術門檻、高可靠性要求的特殊工藝場景。如您有具體工藝參數(如溫度范圍、流量需求、介質類型),可進一步選擇匹配的冠亞型號。